Полупроводнико́вый ла́зер - лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (длина резонатора 50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковые лазеры генерируют излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространённый способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.
* * *
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР - ПОЛУПРОВОДНИКО́ВЫЙ ЛА́ЗЕР, лазер (см. ЛАЗЕР), активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД) (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.